Адрес | |
Телефон | 8 (84722) 3-90-11 |
Учёная степень | кандидат физико-математических наук |
Место работы |
Факультет математики, физики и информационных технологий Кафедра экспериментальной и общей физики |
Должность | Заведующий кафедрой экспериментальной и общей физики |
Общий стаж – 43
Научно-педагогический – 43
Образование:
В 1973 г. окончил факультет теоретической и экспериментальной физики Московского инженерно-физического института с присвоением квалификации «Инженер-физик» по специальности «Дозиметрия и защита». Тема дипломной работы «Радиационная стойкость некоторых материалов». В 1977 — 1980 г.г. обучался в аспирантуре Ленинградского государственного университета. В 1983 г. защитил кандидатскую диссертацию по специальности «Физика твердого тела» в диссертационном Совете Ленинградского (Санкт — Петербургского) государственного университета по теме «Взаимодействие экситонов с поверхностью в кристаллах CdSe. В 1992 г. закончил докторантуру Санкт — Петербургского госуниверситета.
Ученая степень — кандидат физико-математических наук
Ученое звание – доцент
Преподаваемые дисциплины: Ядерная физика, Квантовая физика, История и методология физики.
Профессиональные приоритеты в области оптической и фотоэлектрической спектроскопии полупроводников, включая экситонную спектроскопию поверхности полупроводника. Создал в КалмГУ учебно-научную лабораторию по оптическим свойствам твердого тела.
Публикации:
- Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В.. Люминесценция кристаллов CdS, обусловленная приповерхностными флуктуациями потенциала. РАН; Оптика и спектроскопия, т.114, № 2, 2013,
- Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В.. Стабилизация спайка в спектрах экситонного отражения света кристаллов CdSe, подвергнутых облучению низкоэнергетическими электронами. РАН; Оптика и спектроскопия, т.114, № 3, 2013,
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. «Аномальный» спектральный фоторезистивный эффект поля в кристаллах CdS, обусловленный экранированием электрон-дырочного взаимодействия. РАН; ФТТ, т.55, вып. 4, 2013
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В. Эффект поверхностного рассеяния носителей в спектрах фотопроводимости CdS. РАН; ФТП, т.47, вып. 5, 2013,
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Лиджиев Б.С., Сумьянова Е.В.. Индуцированная термической обработкой «примесная» краевая фотопроводимость кристаллов CdS. РАН; ЖТФ, т.83,вып.9, 2013,
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Тагиров М.О. Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении. РАН; ФТП, т.47, вып. 9, 2013,
- Батырев А.С. Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Шивидов Н.К. Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS. РАН; ЖТФ, т.83, вып. 9, 2013,
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К. Влияние лазерного облучения на спектры фотопроводимости кристаллов CdS. Изд-во КГУ; Вестник КГУ, 4(20), с.30-34. 2013.
- Батырев А.С. Р.А. Бисенгалиев, Н.К. Шивидов, М.О. Тагиров. Исследование зависимости спектров фотопроводимости CdS от направления сканирования спектра.// Науч. журн. «Наука. Инновации. Технологии». Изд-во СКФУ, 2014.
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Шивидов Н.К., Айтаева Б.Д., Барлыкова В.В., Хатикова О.Ю. Эффекты лазерного воздействия в спектрах краевой фотопроводимости CdS. Электронный журнал «Инновационная Калмыкия», 2017.
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Нурметьов Т., Саргинов С.С., Сумьянова Е.В., Халиков Н. Влияние ионно-аргонной бомбардировки на спектры краевой фотопроводимости кристаллов CdS. Науч. Журнал «Тенденции развития науки и образования», изд-во НИЦ «Л-Журнал», № 48, ч.5, 2019
- Batyrev А.S., Batyrev E.D., Bisengaliev R.A., Mikhalyaev B.B., Novikov B.V., Shividov N.K. Effects of Electron-Hole Interaction Screening in the Photoconductivity Spectra of CdS Crystals, International Congress on Advanced Materials Sciences and Engineering, Osaka, Japan, 2019,
- Batyrev А.S., Batyrev E.D., Bisengaliev R.A., Novikov B.V. Effects of Bivalence of Self-Defective Centers in the Optical Spectra of CdS and CdSe Crystals, World Congress on PHYSYCS, October 17-18, Berlin, Germany, 2019
- Bisengaliev R.A.,Goryaeva V.N., Sumyanova E.V., Novikov B.V. Effects of ion bombardment on the spectra of the edge photoconductivity and in the current–voltage characteristics of CdS crystals, Semiconductors. 2022. Т. 56. № 1., 2022
Результаты интеллектуальной деятельности:
ФИО
авторов |
Вид | Наименование | Дата и номер
охранного документа |
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,
Шивидов Н.К., Костенко О.Ю. |
патент на полезную модель | Ячейка для снятия фоторезистивных свойств полупроводников | с 28.06.2017г. по 16.12.2026г. |
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,
Чавлинова М.Б
|
Патент на полезную модель | Фоторезистор на основе монокристалла CdS, функционирующий в ближней инфракрасной области спектра | с 23.05.2019г. по 28.06.2028г
|
Барлыкова В.В., Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А.,
Шивидов Н.К.
|
Патент на изобретение | Метод оценки скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кристаллах типа CdS по тонкой (экситонной) структуре спектров фотопроводимости | с 26.03.2019г. по 26.04.2028г.
|
Повышение квалификации:
- Удостоверение о повышении квалификации № 082409585326 от 05.07.2019г., «Актуальные проблемы и задачи физики атмосферы», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста;
- Удостоверение о повышении квалификации № 612407475347, от 24.06.2019г., «Организационно-управленческие основы инклюзивного профессионального образования», 72 часа, ФГАОУ ВО «Южный федеральный университет», г. Ростов-на-Дону
- Удостоверение о повышении квалификации № 713100639687 от 27.06.2019г., «Принципы создания и использования электронного курса в образовательном процессе», ФГБОУ ВО «Тульский государственный университет», г. Тула
- Удостоверение о повышении квалификации № 080400000039 от 08.07.2022г. «Современные проблемы физики и нанотехнологий», 72 часа, ФГБОУ ВО «Калмыцкий государственный университет им. Б.Б. Городовикова», г. Элиста
Участие в конференциях
- XVIII международной научной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» г. Ульяновск: 2015
- International Congress on Advanced Materials Sciences and Engineering (ICAMSE- 2019) — Osaka, Japan — 2019
3. BIT’s 5th Annual World Congress of Smart Materials — Rome, Italy — 2019
- Межрегиональная научно-практическая конференция «Наука XXI века: вызовы и перспективы» — Элиста – 2019